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Vitesco Technologies, Antriebssparte von Continental und ein führender Anbieter auf dem Gebiet der Fahrzeug-Elektrifizierung, und ROHM Semiconductor, ein führendes Unternehmen bei SiC-Leistungshalbleitern, haben vor kurzem eine Entwicklungspartnerschaft unterzeichnet, die im Juni 2020 beginnt. Vitesco Technologies wird SiC-Bausteine nutzen, um die Effizienz seiner Leistungselektronik für Elektrofahrzeuge (Electric Vehicle EV) zu steigern.

Mit ihrem höheren Wirkungsgrad nutzen SiC-Halbleiter die in der Fahrzeugbatterie gespeicherte Energie besser aus. Auf diese Weise gewinnt das Fahrzeug an Reichweite, oder die Batterie kann kleiner ausfallen, ohne damit die Reichweite zu beeinträchtigen.

“Energieeffizienz ist im Elektrofahrzeug von herausragender Bedeutung. Da die Antriebsbatterie die einzige Energiequelle im Fahrzeug ist, müssen alle Wandlungsverluste minimiert werden. Deshalb entwickeln wir eine SiC-Option als Teil unseres modularen Leistungselektroniksystems," sagt Thomas Stierle, Leiter der Geschäftseinheit Electrification Technology bei Vitesco Technologies. “Um den maximalen Wirkungsgrad aus der Leistungselektronik und der E-Maschine herauszuholen, werden wir SiC-Bausteine von unserem bevorzugten Partner einsetzen. ROHM hat uns mit seinen Produkten überzeugt.”

“Wir freuen uns auf die künftige Zusammenarbeit mit Vitesco Technologies”, sagt Dr. Kazuhide Ino, Corporate Officer, Direktor der Geschäftseinheit Power Device bei ROHM Co.,Ltd. “Wir sind weltweit der führende Anbieter bei SiC-Leistungshalbleitern und Gate-Treiber ICs und haben uns auf diesem Feld einen erheblichen technischen Vorsprung erarbeitet. Gemeinsam mit Vitesco Technologies wollen wir die Energieeffizienz von elektronischen Komponenten für die Elektromobilität weiter steigern und so eine nachhaltige Mobilität sichern.”

Den besten Wirkungsgrad mit SiC-Technologie herauskitzeln

Vitesco Technologies entwickelt und testet SiC-Technologie bereits in einem 800 V Inverterkonzept, um das Effizienzpotenzial dieser Technologie zu bestätigen. Bei diesem Programm ruht das Augenmerk auf dem Gesamtsystem aus Elektronik und Maschine, um die beste Kombination aus Bausteintechnologie und Schaltstrategie zu bestimmen. SiC-Leistungshalbleiter (z.B. SiC MOSFET für 800 V Batteriesysteme, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) bieten für diese Aufgabe eine höhere Schalteffizienz (höhere Schaltfrequenz, steilere Schaltflanken) und verursachen geringere Oberschwingungsverluste in der elektrischen Maschine. Außerdem ist die SiC-Technologie unverzichtbar für superschnelle Ladeverfahren mit 800 V. Im Rahmen der Kooperation

werden ROHM und Vitesco Technologies daran arbeiten, die beste Kombination von SiC-Technologie für die Großserienfertigung und die optimale Anpassung des Inverter-Designs für höchste Effizienz zu schaffen.

“Die SiC-Option ist ein vielversprechender zukünftiger Teil unseres modularen Leistungselektroniksystems aus Software, Leistungsendstufe und Schaltstrategie”, sagt Dr. Gerd Rösel, Leiter Innovation der Geschäftseinheit Electrification Technology bei Vitesco Technologies. “Wir werden mit ROHM sowohl an einer 800 V SiC- Inverterlösung arbeiten als auch an einer 400 V SiC-Inverterlösung.” Vitesco Technology plant den Produktionsstart der ersten SiC- Inverter ab dem Jahr 2025, der Zeitpunkt, für den eine deutlich zunehmende Nachfrage erwartet wird. “Mit anderen Worten, der Zeitstrahl unserer Partnerschaft und Entwicklung passt genau”, sagt Rösel.

Die bevorzugte Partnerschaft wird auch von kurzen Wegen profitieren: Vitesco Technologies und ROHM haben jeweils Werke in Nürnberg (ROHM Semiconductor Group: SiCrystal GmbH), was wiederum nicht weit von dem Vitesco Technologies Hauptquartier in Regensburg entfernt liegt.

Quelle: Vitesco Technologies Continental

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